Apparatus for dynamic piezooptic investigations on semiconductors in the temperature region between 100 and 500°K
Autor: | M. Ochel |
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Rok vydání: | 1970 |
Předmět: | |
Zdroj: | Kristall und Technik. 5:K21-K24 |
ISSN: | 1521-4079 0023-4753 |
Popis: | A sampleholder for applying uniaxial, periodic pressure on small crystals is described. The arrangement allows temperature variation between 100 and 500°K and was developed for piezooptical measurements on semiconductor single crystals with dimensions of about 17×4×0, 8 mm3. The principal design of the apparatus for piezoabsorption measurements is given. - The piezoabsorption curves are well reproducible. Es wird ein Probenhalter beschrieben, der die Anwendung uniaxialen, periodischen Druckes auf Kristalle ermoglicht. Die Anordnung erlaubt eine Temperaturvariation im Bereich von 100 bis 500°K und wurde fur piezooptische Messungen an Halbleitereinkristallen der Grose ca. 17×4×0, 8 mm3 entwickelt. Der prinzipielle Aufbau der Mesapparatur wird gezeigt. Die mit dem beschriebenen Probenhalter gemessenen Piezoabsorptionskurven zeigen eine gute Reproduzierbarkeit. |
Databáze: | OpenAIRE |
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