Understanding the Degradation of 1.2-kV Planar-Gate SiC MOSFETs Under Repetitive Over-Load Current Stress
Autor: | Hengyu Yu, Shiwei Liang, Jun Wang, Xi Jiang, Bo Wang, Yu Yang, Yuwei Wang, Yiqiang Chen |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics. 10:5070-5080 |
ISSN: | 2168-6785 2168-6777 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |