Understanding the Degradation of 1.2-kV Planar-Gate SiC MOSFETs Under Repetitive Over-Load Current Stress
| Autor: | Hengyu Yu, Shiwei Liang, Jun Wang, Xi Jiang, Bo Wang, Yu Yang, Yuwei Wang, Yiqiang Chen |
|---|---|
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics. 10:5070-5080 |
| ISSN: | 2168-6785 2168-6777 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|