Autor: |
E. Haas, K. Raithel, J. Martin |
Rok vydání: |
1966 |
Předmět: |
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Zdroj: |
Solid-State Electronics. 9:83-84 |
ISSN: |
0038-1101 |
DOI: |
10.1016/0038-1101(66)90027-x |
Popis: |
Zusammenfassung Die Diffusion von Gold in Silizium wurde mittels Aktivierungsanalyse untersucht. Die erhaltenen Konzentrationsprofile weisen auf Goldabscheidungen in den Oberflachenschichten und in Kristallstorungen hin. Dies bestatigen die Vergleiche zwischen Atzbildern und Autoradiographien. Temperatur- und Zeitabhangigkeit der Golddiffusion wurden an Kristallen mittlerer Versetzungsdichte studiert. |
Databáze: |
OpenAIRE |
Externí odkaz: |
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