X-ray and RHEED Characterization of Ge Ions-Implanted Si Crystals Subjected to Pulsed-Laser Annealing

Autor: Z. Patron, Z. Furmanik, H. Fiedorowicz, K. Regiński, J. Auleytner
Rok vydání: 1992
Předmět:
Zdroj: Crystal Research and Technology. 27:959-964
ISSN: 1521-4079
0232-1300
DOI: 10.1002/crat.2170270715
Popis: In the experiment a (111) oriented silicon plate was subjected to implantation by 80 keV Ge ions. Then the pulsed-laser annealing of this sample was carried out by using neodymium laser to form several areas irradiated with different light power. The effectiveness of the annealing has been analyzed by means of transmission X-ray topography, double crystal X-ray spectrometry, and reflection high energy electron diffraction. These three methods have appeared to be complementary and very effective in studying the spatial homogeneity of annealed areas, their state of annealing, and the damage in the surface layers. In dieser Arbeit wurden 111-orientierte Silizium-Plattchen mit 80 keV Germanium-Ionen implantiert und nachher mit einem Impulslaser bestrahlt. Zu diesem Zweck wurde ein Neodym-Laser verwendet. Die Bestrahlung erfolgte durch ein rundes Diaphragma. So konnte man einzelne Kristallgebiete mit verschiedener Strahlungsdosis ausheilen. Die Wirksamkeit des Ausheilens wurde mit Hilfe der Rontgenographie, Doppel-Kristallspektrometrie wie auch der hochenergetischen Elektronenbeugung in Reflexion untersucht. Diese drei sich gegenseitig erganzenden Methoden haben sich in den Untersuchungen der Raumhomogenitat der bestrahlten Gebiete, deren Ausheilungszustand und der Restdefekte in der Oberflachenschicht als sehr effektiv erwiesen.
Databáze: OpenAIRE
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