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Le sulfure de zinc est un semi-conducteur a large bande interdite avec des applications potentielles en dispositifs photoniques et optoelectroniques, ainsi que comme alternative au CdS pour les piles solaires. Les couches minces de ZnS ont ete deposees sur substrat de verre aux temperatures 70 °C et 90 °C, par un depot chimique dans un bain, simple, et peu couteux. La thiouree est utilisee en tant que source d'ions de sulfure et le triethanolamine en tant qu'agent complexant dans un milieu alcalin. Les parametres d'elaboration de la croissance et de la qualite de film ont ete etudies. Les films de ZnS ont ete caracterises par DRX, MEB, EDX et absorption optique. Le film depose est homogene et se compose de grains nanocristallins. La taille des particules est de 5 nm a 15 nm. L'epaisseur de film, deduite des courbes de transmittance, est de 83 nm et 114 nm selon la temperature d'elaboration. Les mesures spectrophotometriques UV-visible ont montre un domaine transparent autour de 80% a70 °C et de 90% a 90 °C dans la gamme de 400 nm a 900 nm. La bande interdite du film de ZnS depose est estimee a 3,78 eV. |
