A novel p-GaN HEMT with AlInN/AlN/GaN double heterostructure and InAlGaN back-barrier
Autor: | Tanvika Garg, Sumit Kale |
---|---|
Rok vydání: | 2023 |
Předmět: | |
Zdroj: | Microelectronics Reliability. 145:114998 |
ISSN: | 0026-2714 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |