Influence of oxygen on the recombination strength of dislocations in silicon wafers

Autor:	J.J. Simon, I. Périchaud
Rok vydání:	1996
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7c4444a4a9edbceb5691563029ab47ae https://doi.org/10.1016/b978-0-444-82413-4.50047-0 Zobrazit plný text záznamu