Chemical Vapour Deposition of Silicon Dioxide Films in the OMTS-ozone-oxigen system

Jazyk:	ruština
Rok vydání:	2021
Předmět:	диоксид кремния silicon dioxide OMTS октаметилциклотетрасилоксан films CVD Ñ Ð¸Ð¼Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ðµ осаждение из газовой фазы слои
DOI:	10.18720/spbpu/3/2021/vr/vr21-2963
Popis:	В данной работе рассмотрено получение Ñ‚Ð¾Ð½ÐºÐ¸Ñ ÑÐ»Ð¾ÐµÐ² диоксида кремния методом Ñ Ð¸Ð¼Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð³Ð¾ осаждения из газовой фазы. Проведена серия экспериментов по получению пленок диоксида кремния при Ñ€Ð°Ð·Ð»Ð¸Ñ‡Ð½Ñ‹Ñ Ð¿Ð°Ñ€Ð°Ð¼ÐµÑ‚Ñ€Ð°Ñ Ð¾ÑÐ°Ð¶Ð´ÐµÐ½Ð¸Ñ. Исследованы свойства Ð¾ÑÐ°Ð¶Ð´ÐµÐ½Ð½Ñ‹Ñ ÑÐ»Ð¾ÐµÐ², а также влияние температуры и давления на скорость роста и Ñ Ð°Ñ€Ð°ÐºÑ‚ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚Ð¸ÐºÐ¸ Ð¿Ð¾Ð»ÑƒÑ‡ÐµÐ½Ð½Ñ‹Ñ Ð¿Ð»ÐµÐ½Ð¾Ðº. In this work, the preparation of thin layers of silicon dioxide by chemical vapor deposition is considered. A series of experiments was carried out to obtain silicon dioxide films at various deposition parameters. The properties of the deposited layers, as well as the effect of temperature and pressure on the growth rate and characteristics of the obtained films, are investigated.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7beb5ba897e02ffec769225d1540077b Zobrazit plný text záznamu