GaN Power p–n Diodes on Hydride Vapor Epitaxy GaN Substrates with Near‐Unity Ideality Factor and <0.5 mΩ cm 2 Specific On‐Resistance
| Autor: | Vishank Talesara, Yuxuan Zhang, Zhaoying Chen, Hongping Zhao, Wu Lu |
|---|---|
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. 16:2100599 |
| ISSN: | 1862-6270 1862-6254 |
| DOI: | 10.1002/pssr.202100599 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|
Plný text