Electrical characteristics and reliability properties of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ZrO2 gate dielectric

Autor: De-Cheng Hsu, Ming-Tsong Wang, Joseph Ya-min Lee, Pi-Chun Juan
Rok vydání: 2007
Předmět:
Zdroj: Journal of Applied Physics. 101:094105
ISSN: 1089-7550
0021-8979
DOI: 10.1063/1.2723861
Databáze: OpenAIRE