Abschlussbericht zu FuE-Vorhaben 'Bewertung freistehender GaN-Substrate mittels Epitaxie und Bauelementestrukturen für die Kommunikationstechnik' : Teilförderschwerpunkt: CrysGaN: HVPE-GaN-Substrate für die Kommunikationstechnik und Quasisubstrate mit dünnen GaN-Nutzschichten, Förderschwerpunkt: GaN-Substrate ; Berichtszeitraum: 01.07.2006 - 30.06.2010
| Autor: | Fraunhofer-Institut Für Angewandte Festkörperphysik |
|---|---|
| Jazyk: | němčina |
| Rok vydání: | 2010 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.2314/gbv:668430087 |
| Popis: | Ill., graph. Darst. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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