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Es wurde die Auflosungskinetik von ZnO-Einkristallen in einer Azetatpufferlosung untersucht. Die Auflosungsgeschwindigkeit wird im allgemeinen durch Lichteinstrahlung erhoht. Es wurde gezeigt, das dabei die masgebende Rolle das Licht mit der Wellenlange unterhalb von 385 nm spielt. Die Auflosung der (000·1)-Ebene (Sauerstoffebene) ist in der Regel schneller als die der (000·1)-Ebene (Zinkebene). Die Aktivierungsenergie des Auflosungsvorganges ist an beiden Ebenen verschieden, hangt aber von der Belichtung nicht ab. Man kann die Lichteinwirkung auf die Auflosung von ZnO auf Grund von Teilvorgangen erklaren, an denen Elektron-Lochpaare teilnehmen, die im ZnO durch Belichtung im Bereich unterhalb von 385 nm erzeugt wurden. The kinetics of dissolution of ZnO single crystals in an acetate buffer solution have been studied. In general, the rate of dissolution is enhanced by illumination. It has been shown that light with wavelengths shorter than 385 nm plays here the predominant part. The dissolution of the (000·1) face (oxygen face) is generally more rapid than that of the (000·1) face (zinc face). The activation energy of the dissolution process is different on individual faces, but independent of illumination. The effect of illumination on dissolution of ZnO can be explained by partial processes in which the electron-hole pairs take part having been produced in ZnO by illumination in the range below 385 nm. |
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