Far ultraviolet photoelectric study of thin SnSe evaporated films

Autor: M. Priol, P. Y. Tessier, Amin Bennouna, S. Robin, Q. Dang Tran
Rok vydání: 1983
Předmět:
Zdroj: physica status solidi (b). 117:51-56
ISSN: 1521-3951
0370-1972
DOI: 10.1002/pssb.2221170104
Popis: Energy distribution curves of photoemitted electrons are obtained for SnSe thin polycrystalline films in the 10 to 40 eV energy range. The method of preparation of the sample under ultrahigh vacuum conditions is described and the synthesis of the initial material. The quality of the sample is checked by Auger analysis which reveals a weak reactivity of the material. The EDC's show structures appearing at 0.9, 2.1 to 2.7, 3.9, 7.4 eV below the top of the valence band. Also the Sn 4d levels are investigated. The 4d(5/2) is found at 24.3 eV and the 4d(3/2) at 25.3 eV below the top of the valence band. Structures in the EDC's are compared with those of existing similar works and are interpreted by means of theoretical bands scheme. Les courbes de distribution energetique des electrons photoemis ont ete obtenues pour des couches minces polycristallines de SnSe dans la region 10 a 40 eV. Nous decrivons la methode de preparation de l'echantillon sous ultra-vide et la synthese du materiau de depart. La qualite de l'echantillon est contrǒlee par analyse Auger qui revele une faible reactivite du materiau. Les EDC montrent des structures apparaissant a 0,9; 2,1 a 2,7; 3,9; 7,4 eV en dessous du haut de la bande de valence. Nous avons aussi etudie les niveaux 4d de l'etain. Nous avons trouve les 4d(5/2) a 24,3 eV et les 4d(3/2) a 25,3 eV en dessous du sommet de la bande de valence. Les structures dans les EDC sont comparees avec celles de travaux similaires existant et sont interpretees au moyen de schemas des bandes theoriques.
Databáze: OpenAIRE
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