P‐3: High Temperature Annealing Behavior of IGZO Using Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition

Autor: Yoon-Seo Kim, Hyun-Jun Jeong, Seok-Goo Jeong, Jin-Seong Park
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: SID Symposium Digest of Technical Papers. 53:1047-1050
ISSN: 2168-0159
0097-966X
DOI: 10.1002/sdtp.15678
Databáze: OpenAIRE