SIMS Analysis on the Transistor Scale: Probing Composition and Dopants in Nonplanar, Confined 3D Volumes

Autor:	Wilfried Vandervorst, Andre Budrevich
Rok vydání:	2016
Předmět:	Secondary ion mass spectrometry Materials science Scale (ratio) Dopant Chemical physics law Transistor law.invention
Zdroj:	Metrology and Diagnostic Techniques for Nanoelectronics
DOI:	10.1201/9781315185385-7
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::77830852393ab19284246d0009de609a https://doi.org/10.1201/9781315185385-7 Zobrazit plný text záznamu