Инжекционно-полевой фотодиод
| Rok vydání: | 2006 |
|---|---|
| Předmět: | |
| Zdroj: | Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. 49:76-80 |
| ISSN: | 2307-6011 0021-3470 |
| DOI: | 10.20535/s0021347006020117 |
| Popis: | Предложен фотодиод на основе pAlInGaAs–nGaAs–m-переходов. Высокая фоточувствительность в нем достигается в режиме прямого смещения p–n-гетероперехода и запирания n–m перехода. В этом режиме освещение структуры из собственной или примесной области спектра приводит к уменьшению сопротивления базовой области за счет генерированных фотоносителей, что приводит к последующему увеличению инжекционного тока через прямо смещаемый р–n-переход. При этом с увеличением приложенного напряжения поле на запираемом n–m-переходе возрастает. Такие фотодиоды могут использоваться для регистрации оптического и лазерного излучений в диапазоне 0,8…1,6 мкм. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|