ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ GA(AL)N ДЛЯ СИЛОВЫХ HEMT НА СВЕРХВЫСОКООМНЫХ СТРУКТУРАХ КРЕМНИЯ
| Rok vydání: | 2020 |
|---|---|
| Zdroj: | NANOINDUSTRY Russia. 13:176-178 |
| ISSN: | 1993-8578 |
| DOI: | 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.176.178 |
| Popis: | В докладе продемонстрированы новые результаты разработки отечественной технологии Ga(Al)N-on-Si. Разработка ведется АО «Эпиэл» в тесном сотрудничестве c НТЦ микроэлектроники РАН. Получены первые отечественные гетероэпитаксиальные структуры Ga(Al)N/Si диаметром 100 мм для HEMT-транзисторов с подвижностью электронов в канале 2DEG выше 1500 см2В-1с-1, выращенные на сверхвысокоомных эпитаксиальных структурах Si в МОГФЭ-установке Dragon 125. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|