Formation of ultrathin oxide films on silicon in RF oxygen plasma

Autor:	E. D. Atanasova, E. I. Kantardjeva, K. I. Kirov
Rok vydání:	1981
Předmět:	Glow discharge Linear region Silicon Kinetics Analytical chemistry Oxide chemistry.chemical_element Condensed Matter Physics Oxygen Electronic Optical and Magnetic Materials chemistry.chemical_compound chemistry Oxygen plasma Oxidizing agent
Zdroj:	Physica Status Solidi (a). 64:73-80
ISSN:	1521-396X 0031-8965
DOI:	10.1002/pssa.2210640106
Popis:	The oxidation kinetics of Si in oxygen rf plasma in a planar reactor is investigated. It is found that the dependence of the oxide layer thickness on oxidation time is characterized by a rapid initial region described by the Mott-Cabrera law, followed by a linear region. The influence of glow discharge parameters on the oxidation process is investigated. It is concluded that the active oxidizing particle is elemental oxygen. Die Oxidationskinetik von Si im HF-Sauerstoffplasma eines planaren Reaktors wird untersucht. Es wird festgestellt, das die Abhangigkeit der Oxidschichtdicke von der Oxidationszeit durch einen steilen Anfangsbereioh, der nach dem Gesetz von Mott-Cabrera beschrieben wird, und einem nachfolgenden linearen Bereioh charakterisiert wird. Der Einflus der Entladungsparameter auf den Oxidationsvorgang wird untersucht. Es wird gefolgert, das das aktive Oxidationsteilchen atomarer Sauerstoff ist.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::734809d42982a8f8947b7783b67e490e https://doi.org/10.1002/pssa.2210640106 Zobrazit plný text záznamu Plný text