Influences of Ion Implantation Damages on Elevated Source/Drain Formation for Ultra-Thin Body SOI MOSFET

Autor: Mitsumasa Koyanagi, Jicheol Bea, Hyuckjae Oh, T. Fukusima, Takeshi Sakaguchi
Rok vydání: 2005
Předmět:
Zdroj: Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials.
DOI: 10.7567/ssdm.2005.p1-17
Databáze: OpenAIRE