Irradiation Effects on MOS Diodes
| Autor: | Haruo Chisaka, Yoshiharu Shinozaki |
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| Rok vydání: | 1968 |
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| Zdroj: | RADIOISOTOPES. 17:63-67 |
| ISSN: | 1884-4111 0033-8303 |
| DOI: | 10.3769/radioisotopes.17.2_63 |
| Popis: | NチャンネルのMOS型ダイオードを, 乾燥酸化法を用いて試作した。酸化膜の厚さは2700で, 0.7×0.7mm2の正方形の電極を蒸着した。照射は60Co-γ線でおこない, 照射時にgate biasとして10, 0と-10Vをかけた。C-V特性を測定したところ, 照射線量の増加とともにgate biasはより負の方向に移動した。また, いずれの照射時のgate biasにおいても, ある線量でgate biasの変化量が一定値になることがわかった。この結果は製作段階でできると考えられるdonor centerを導入することによって理解できる。このdonor centerは照射によってできたholeと相互作用してpositive chargeをoxide-silicon interfaceに作る。この結果, gate biasはより負の方向に移動するとともに, 相互作用する確率の減少からgate biasは一定値になると考えられる。 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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