Selective, deep Si trench etching with dimensional control

Autor:	R.J. Shul, C.G. Willison, L. Zhang
Rok vydání:	1998
DOI:	10.2172/663567
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6cbad4e4a696d997434551d50038af1d https://doi.org/10.2172/663567 Zobrazit plný text záznamu