The Effect of Intrinsic Point Defects upon Dislocation Motion in Silicon
Autor: | William R. Frensley, Howard R. Huff, K.V. Loiko, D.A. Simpson, I.V. Peidous |
---|---|
Rok vydání: | 2001 |
Předmět: | |
Zdroj: | Solid State Phenomena. :219-224 |
ISSN: | 1662-9779 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |