The role of copper as an impurity in high resistivity cadmium telluride and its influence on γ-ray spectrometer performance

Autor:	J. E. Nicholls, D. H. J. Totterdell, R. M. Bilbé, B. Lunn
Rok vydání:	1984
Předmět:	Transition metal chemistry Impurity Annealing (metallurgy) Analytical chemistry chemistry.chemical_element Activation energy Condensed Matter Physics Tellurium Copper Cadmium telluride photovoltaics Electronic Optical and Magnetic Materials Semiconductor detector
Zdroj:	Physica Status Solidi (a). 86:821-826
ISSN:	1521-396X 0031-8965
DOI:	10.1002/pssa.2210860243
Popis:	Thermally stimulated current measurements on high resistivity CdTe:Cl show the presence of a deep hole trap, with an activation energy of EV + 0.33 eV, that notably degrades γ-ray spectrometer performance. The trap is associated with copper impurities that are gettered by tellurium inclusions and are subsequently released during low temperature annealing of the material. Messungen thermisch induzierter Strome an hochohmigem CdTe:Cl ergibt die Anwesenheit einer tiefen Locherhaftstelle, mit einer Aktivierungsenergie von EV + 0,33 eV, die merklich den Wirkungsgrad des γ-Spektrometers verringert. Die Haftstelle ist mit Kupferverunreinigungen verknupft, die durch Tellureinschlusse gegettert werden und anschliesend wahrend der Niedertemperaturtemperung des Materials befreit werden.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69a4140e14c0ccd463bae283d5d41c6a https://doi.org/10.1002/pssa.2210860243 Zobrazit plný text záznamu Plný text