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La m~thode la plus traditionnelle pour ~tudier les m~chanismes de conduction dans les isolants, consiste ~ appliquer un ~chelon de tension ~ une structure m~tal--isolant--m~tal et ~ enregistrer le courant en fonct ion du temps. De l'influence de divers param~tres (champ ~lectrique, temperature, facteurs g~om~triques, nature de l'~lectrode etc.,) on d~duit le m~chanisme le plus probable. L'un des inconv~nients de cette techni_que est que le mouvement des charges ?~ rint~rieur de l'isolant et les distorsions de champs qui s'en suivent ne sont pas accessibles. Si on prend maintenant une structure m~tal--isolant--semiconducteur il est bien connu dans la litt~rature que le semiconducteur (du silicium dans notre |
