MOSiC (3C, 4H and 6H) Transistors 130nm by BSIM3v3 Model in Low Voltage and Low Power

Autor: A. Saidane, Abdelkader Baghdad Bey, Djilali Berbara, D. Chalabi, Mourad Hebali, M. Benzohra
Rok vydání: 2017
Předmět:
Zdroj: Journal of Engineering Science and Technology Review. 10:195-198
ISSN: 1791-2377
1791-9320
DOI: 10.25103/jestr.105.24
Databáze: OpenAIRE