MOSiC (3C, 4H and 6H) Transistors 130nm by BSIM3v3 Model in Low Voltage and Low Power
Autor: | A. Saidane, Abdelkader Baghdad Bey, Djilali Berbara, D. Chalabi, Mourad Hebali, M. Benzohra |
---|---|
Rok vydání: | 2017 |
Předmět: | |
Zdroj: | Journal of Engineering Science and Technology Review. 10:195-198 |
ISSN: | 1791-2377 1791-9320 |
DOI: | 10.25103/jestr.105.24 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |