Structural and electrical characteristics of ultra-thin Si-doped GaN film regrown on patterned GaN/sapphire

Autor: Jaehyeok Shin, Siyun Noh, Jinseong Lee, Jin Soo Kim, Ilgyu Choi, Ho-Kyun Ahn
Rok vydání: 2023
Předmět:
Zdroj: Journal of the Korean Physical Society.
ISSN: 1976-8524
0374-4884
DOI: 10.1007/s40042-023-00799-6
Databáze: OpenAIRE