Enhanced Device Stability of Ionic Gating Molybdenum Disulfide Transistors
Autor: | Sukjin Jang, Seok Daniel Namgung, Hyungjun Kim, Jang Yeon Kwon, Suk Yang, Daehwan Choi |
---|---|
Rok vydání: | 2019 |
Předmět: | |
Zdroj: | physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. 13:1900142 |
ISSN: | 1862-6270 1862-6254 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |