A Fully Integrated 160-Gb/s D-Band Transmitter Achieving 1.1-pJ/b Efficiency in 22-nm FinFET

Autor:	Steven Callender, Abhishek Agrawal, Amy Whitcombe, Ritesh Bhat, Mustafijur Rahman, Chun C. Lee, Peter Sagazio, Georgios C. Dogiamis, Brent R. Carlton, Christopher Hull, Stefano Pellerano
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering
Zdroj:	IEEE Journal of Solid-State Circuits. 57:3582-3598
ISSN:	1558-173X 0018-9200
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64f25691017f4e5eaf5cc4e99e392a7c https://doi.org/10.1109/jssc.2022.3208510 Zobrazit plný text záznamu