EPR, ESE and Pulsed ENDOR Study of Nitrogen Related Centers in 4H-SiC Wafers Grown by Different Technologies

Autor:	E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, D.V. Savchenko, W.C. Mitchel, S. Greulich-Weber, U. Gerstmann, Andreas Pöppl, J. Hoentsch, E. Rauls, Yurii Rozentzveig, E.N. Mokhov, Mikael Syväjärvi, Rositza Yakimova
Rok vydání:	2007
DOI:	10.4028/0-87849-442-1.355
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::643c2127a7438ec8ee7943b10ab93727 https://doi.org/10.4028/0-87849-442-1.355 Zobrazit plný text záznamu