Formation of Ge quantum dots on GaN nanowires by molecular beam epitaxy
| Autor: | Ilkiv, Igor, Kotlyar, Konstantin, Kirilenko, Demid, Sharov, Vladislav, Reznik, Rodion, Cirlin, George |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2023 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.18721/jpm.161.157 |
| Popis: | Germanium nanocrystals were grown on GaN nanowire sidewalls by molecular beam epitaxy. The transmission electron microscopy measurements revealed the formation of 6-10 nm in size Ge quantum dots, which exhibited diamond cubic crystal structure. Raman spectroscopy indicate that uncapped Ge QDs are stress relaxed compare to ones additionally capped with GaN. В настоящей работе исследованы процессы формирования германия на поверхности GaN нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрирована возможность формирования Ge островков размером 6-10 нм на боковых гранях GaN нитевидных нанокристаллов и создания гетероструктур на их основе. С помощью спектроскопии комбинационного рассеивания показано, что формирование GaN покровного слоя приводит к формированию упругих напряжений в Ge квантовых точках. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|