Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band
| Autor: | Osinnykh, Igor, Malin, Timur, Zhuravlev, Konstantin |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2023 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.18721/jpm.161.305 |
| Popis: | In this paper, we present the results of the calculated and experimental dependence of photoluminescence on the excitation power density for GaN:Si layers grown by molecular beam epitaxy. A model was constructed for transitions in a compensated semiconductor upon interband generation of electron-hole pairs. It is shown that the dependence of the photoluminescence intensity on the excitation power density can be used to determine the recombination mechanism and concentrations of donors and acceptors in semiconductor. В настоящей работе представлены результаты расчетной и экспериментальной зависимости интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения для легированных кремнием слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что анализ зависимости интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения с помощью модели электронных переходов в GaN при межзонной генерации электрон-дырочных пар позволяет определить механизм рекомбинации и концентрации доноров и акцепторов в полупроводнике. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|