Оптическое возбуждение неравновесных носителей заряда в структурах для инжекционных лазеров на основе квантовых ям InGaAsSb/AlGaAsSb
Jazyk: | ruština |
---|---|
Rok vydání: | 2017 |
Předmět: | |
DOI: | 10.18720/spbpu/2/v17-2754 |
Popis: | Исследовано влияние оже-рекомбинации на оптические свойства полупроводниковых структур с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb. Экспериментально получены спектры межзонной фотолюминесценции для структур с различной шириной квантовых ям: 4, 5, 7 и 9 нм. Из спектров фотолюминесценции рассчитана электронная температура. Экспериментально и теоретически получены зависимости концентрации носителей заряда от интенсивности оптической накачки. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |