Оптическое возбуждение неравновесных носителей заряда в структурах для инжекционных лазеров на основе квантовых ям InGaAsSb/AlGaAsSb

Jazyk: ruština
Rok vydání: 2017
Předmět:
DOI: 10.18720/spbpu/2/v17-2754
Popis: Исследовано влияние оже-рекомбинации на оптические свойства полупроводниковых структур с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb. Экспериментально получены спектры межзонной фотолюминесценции для структур с различной шириной квантовых ям: 4, 5, 7 и 9 нм. Из спектров фотолюминесценции рассчитана электронная температура. Экспериментально и теоретически получены зависимости концентрации носителей заряда от интенсивности оптической накачки.
Databáze: OpenAIRE