Thermally Stimulated Currents under the Condition of Persistent Internal Polarization

Autor: D. G. Semak, D. V. Chepur, V. F. Zolotaryov
Rok vydání: 1967
Předmět:
Zdroj: physica status solidi (b). 21:437-442
ISSN: 1521-3951
0370-1972
Popis: A new method is proposed for direct determination of the trapping levels which are responsible for internal polarization in semiconductors. The method is based on the fact that internal polarization, i. e. the internal field, becomes important at low temperatures. In the presence of the internal field, the trapping levels are then investigated by the thermally-stimulated-current method. The internal field affects the temperature dependence of the thermally stimulated current. The thermally stimulated current shows a quadratic dependence on carrier concentration in the conduction band. This is the reason for the contraction of the thermally stimulated current maxima and the improvement in their separation. Eine neue Methode zur direkten Bestimmung des Niveaus von Hafttermen, die die innere Polarisation eines Halbleiters verursachen, wird vorgeschlagen. Diese Methode beruht auf der Tatsache, das die innere Polarisation, d. h. das innere Feld bei niedrigen Temperaturen wesentlich wird. Bei Anwesenheit des inneren Feldes werden die Haftstellen dann mit der thermischen Glowkurvenmethode untersucht. Das innere Feld beeinflust die Temperaturabhangigkeit des thermischen Glowstroms. Der thermische Glowstrom zeigt eine quadratische Abhangigkeit von der Ladungstragerkonzentration im Leitungsband. Das ist der Grund fur die Kontraktion der thermischen Glowmaxima und die Verbesserung in ihrer Auflosung.
Databáze: OpenAIRE
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