Raman shifts in MBE‐grown Si x Ge 1 − x − y Sn y alloys with large Si content

Autor:	Christoph Koch, C. L. Manganelli, Giovanni Capellini, Inga A. Fischer, Henriette Tetzner, Stefano Chiussi, Jon Schlipf, Michael Oehme, Davide Spirito, Michael R. S. Huang, Ahmed Elsayed, Caterina J. Clausen, Jörg Schulze
Rok vydání:	2021
Předmět:	symbols.namesake Materials science symbols Analytical chemistry Semiconductor alloys General Materials Science Raman spectroscopy Spectroscopy Molecular beam epitaxy
Zdroj:	Journal of Raman Spectroscopy. 52:1167-1175
ISSN:	1097-4555 0377-0486
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::61494ec934678f8d4292bd2f36aafc28 https://doi.org/10.1002/jrs.6098 Zobrazit plný text záznamu Plný text