Laser-Induced Reactivity of NH3 on GaAs Surface
| Autor: | B. Dubreuil, Marie-France Barthe, T. Gibert-Legrand, C. Perrin, L. Vivet |
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| Rok vydání: | 1997 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Journal de Physique III. 7:87-98 |
| ISSN: | 1286-4897 1155-4320 |
| DOI: | 10.1051/jp3:1997112 |
| Popis: | Nous avons etudie la reactivite de NH 3 sur la surface d'un echantillon de GaAs irradie par un faisceau laser UV (280 nm) de faible fluence (< 50 mJ cm -2 ). Les experiences ont ete menees dans un dispositif experimental utilisant la spectrometrie de masse et permettant une caracterisation precise de l'etat de la surface. Grâce a cette technique d'analyse nous avons pu suivre les especes NH∞ + (x = 2, 3) desorbees pendant le traitement laser, cette etape terminee, nous avons detecte, par la spectrometrie de masse associee a la desorption laser, les ions GaN + emis depuis la surface traitee, ils indiquent que la nitruration de GaAs s'est bien produite pendant le traitement. Cette technique de caracterisation nous a permis d'etudier l'influence de la fluence et du nombre de tirs laser sur l'efficacite du traitement. A 280 nm l'efficacite de la nitruration assistee par laser du GaAs est maximum pour une fluence laser proche de 25 mJ cm -2 (par tir). Cependant meme dans les conditions optimales de nitruration, le processus apparait peu efficace puisqu'il conduit a la formation de moins d'une monocouche de GaN. Ces resultats experimentaux couples a un modele numerique du chauffage laser de GaAs ont montre que le laser produit, pour les reactions de surface, des effets essentiellement thermiques proches de ceux obtenus par un chauffage conventionnel, lent, du substrat de GaAs. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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