Field Effect Mobility in n-Channel Si Face 4H-SiC MOSFET with Gate Oxide Grown on Aluminium Ion-Implanted Material

Autor:	G. Gudjónsson, H.Ö. Ólafsson, Fredrik Allerstam, Per Åke Nilsson, Einar O. Sveinbjörnsson, T. Rödle, R. Jos
Rok vydání:	2005
DOI:	10.4028/0-87849-963-6.833
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5ea6b4996fe7e3a9f0d548e7d4e17330 https://doi.org/10.4028/0-87849-963-6.833 Zobrazit plný text záznamu