Enhancement-Mode GaN Transistor Technology for Harsh Environment Operation
Autor: | Mengyang Yuan, John Niroula, Qingyun Xie, Nitul S. Rajput, Kai Fu, Shisong Luo, Sagar Kumar Das, Abdullah Jubair Bin Iqbal, Bejoy Sikder, Mohamed Fadil Isamotu, Minsik Oh, Savannah R. Eisner, Debbie G. Senesky, Gary W. Hunter, Nadim Chowdhury, Yuji Zhao, Tomás Palacios |
---|---|
Rok vydání: | 2023 |
Předmět: | |
Zdroj: | IEEE Electron Device Letters. :1-1 |
ISSN: | 1558-0563 0741-3106 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |