POST-RADIATION RELAXATION OF RADIATION-INDUCED CHANGES OF OPTICAL ABSORPTION IN Ge-As-S CHALCOGENIDE GLASS
| Autor: | O. Shpotyuk, Andriy P. Kovalskiy, M. Vakiv, R. Ya. Golovchak |
|---|---|
| Rok vydání: | 2014 |
| Zdroj: | Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 2:52-56 |
| ISSN: | 2415-3508 1815-7459 |
| DOI: | 10.18524/1815-7459.2005.1.112090 |
| Popis: | Проанализированы особенности использования радиационно-чувствительных сред на основе халькогенидных стекол системы As-Ge-S для регистрации высокоэнергетического γ-излучения. Показано, что существенным преимуществом исследуемых объектов по сравнению с оксидными стеклами является более высокий уровень измеряемых доз, высокая стойкость к воздействию агрессивных внешних факторов и более низкая температура стирания радиационно-индуцированных изменений в области края фундаментального оптического поглощения. Недостатком дозиметрических систем на основе указанных халькогенидных стекол является температурная зависимость и временная нестабильность радиационно-индуцированных изменений. Влияние нагрева образца в процессе облучения может быть исключено путем ограничения диапазона измеряемых доз и их мощностей. Пострадиационное изменение контролируемого параметра со временем можно учесть посредством введения соответствующего корректирующего коэффициента. Установлено, что релаксационные процессы, ответственные за пострадиационные эффекты описываются дифференциальным уравнением, характерным для бимолекулярного механизма рекомбинации, что свидетельствует об определяющей роли координационных дефектов при формировании наблюдаемых радиационно-индуцированных изменений. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|