PHYSICAL BASIS FOR PREDICTION OF SILICON SEMICONDUCTOR DEVICES RESISTANCE TO THE PULSED NEUTRON RADIATION
Autor: | E.N. Vologdin, Production Enterprise, Pulsar, Scientific |
---|---|
Rok vydání: | 2018 |
Předmět: | |
Zdroj: | Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. 248:19-27 |
ISSN: | 2073-8250 |
DOI: | 10.36845/2073-8250-2018-248-1-19-27 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |