PHYSICAL BASIS FOR PREDICTION OF SILICON SEMICONDUCTOR DEVICES RESISTANCE TO THE PULSED NEUTRON RADIATION

Autor: E.N. Vologdin, Production Enterprise, Pulsar, Scientific
Rok vydání: 2018
Předmět:
Zdroj: Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. 248:19-27
ISSN: 2073-8250
DOI: 10.36845/2073-8250-2018-248-1-19-27
Databáze: OpenAIRE