High-Performance GaN Vertical Trench MOSFETs Grown on Si Substrate

Autor:	Renqiang Zhu, Huaxing Jiang, Chak Wah Tang, Kei May Lau
Rok vydání:	2022
Zdroj:	2022 Compound Semiconductor Week (CSW).
DOI:	10.1109/csw55288.2022.9930472
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::58780d53d9eb2efde0255fa0e7118a10 https://doi.org/10.1109/csw55288.2022.9930472 Zobrazit plný text záznamu