Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters
Autor: | Alice Hospodková, František Hájek, Tomáš Hubáček, Zuzana Gedeonová, Pavel Hubík, Jiří J. Mareš, Jiří Pangrác, Filip Dominec, Karla Kuldová, Eduard Hulicius |
---|---|
Rok vydání: | 2023 |
Předmět: | |
Zdroj: | Journal of Crystal Growth. 605:127061 |
ISSN: | 0022-0248 |
DOI: | 10.1016/j.jcrysgro.2022.127061 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |
načítá se...