Atomic study on deformation behavior and anisotropy effect of 4C–SiC during nanoindentation

Autor: Bo Zhu, Dan Zhao, Yihan Niu, Hongwei Zhao
Rok vydání: 2023
Předmět:
Zdroj: Materials Science in Semiconductor Processing. 163:107580
ISSN: 1369-8001
Databáze: OpenAIRE