The Influence Of Prebowed Sapphire Wafers On Self Separated GaN Layers In Hydride Vapor Phase Epitaxy

Autor:	M Klein, T Meisch, F Scholz, H Aida, N Aota, H Takeda, K Koyama
Rok vydání:	2014
DOI:	10.13140/2.1.1331.6805
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::556a85676b193058444cd731b1d46d59 Zobrazit plný text záznamu