Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers

Autor:	T. Hubáček, K. Kuldová, Z. Gedeonová, F. Hájek, T. Košutová, S. Banerjee, P. Hubík, J. Pangrác, T. Vaněk, A. Hospodková
Rok vydání:	2023
Předmět:	Inorganic Chemistry Materials Chemistry Condensed Matter Physics
Zdroj:	Journal of Crystal Growth. 604:127043
ISSN:	0022-0248
DOI:	10.1016/j.jcrysgro.2022.127043
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::54aa2e749047c34e7ca852b9a1b992bb https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.127043 Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect