Novel Power Si/4H-SiC Heterojunction Tunneling Transistor (HETT)

Autor:	Tetsuya Hayashi, Yoshio Shimoida, Hideaki Tanaka, Shigeharu Yamagami, Satoshi Tanimoto, Masakatsu Hoshi
Rok vydání:	2006
DOI:	10.4028/0-87849-425-1.1453
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::543683d90275fe1de80e5c2b356edf2e https://doi.org/10.4028/0-87849-425-1.1453 Zobrazit plný text záznamu