ChemInform Abstract: BESONDERHEITEN DER HETEROGENEN RK. IN SYST. MIT BETEILIGUNG VON SIO2 UND AL, CR, V ODER MO
Autor: | V. Z. Anokhin, S. V. Fetisova, V. G. Kolesnikov, Ya. A. Ugai |
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Rok vydání: | 1973 |
Předmět: | |
Zdroj: | Chemischer Informationsdienst. 4 |
ISSN: | 0009-2975 |
Popis: | Die Abscheidungsbedingungen von Al, V, Cr und M0 auf Siuz-Schichten auf Si beeinflussen auch die elektrischen Eigenschaften der entstehenden MOS- Halbleiterbauelemente. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |