Design of Mid-Infrared Ge1–x Snx Homojunction p-i-n Photodiodes on Si Substrate

Autor:	Harshvardhan Kumar, Rikmantra Basu
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Instrumentation
Zdroj:	IEEE Sensors Journal. 22:7743-7751
ISSN:	2379-9153 1530-437X
DOI:	10.1109/jsen.2022.3159833
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5115a6c144731e0fe23e8658fd5ae2de https://doi.org/10.1109/jsen.2022.3159833 Zobrazit plný text záznamu