FIB Lithography Challenges of Si3N4/GaN Mask Preparation for Selective Epitaxy

Autor:	S. N. Rodin, W. V. Lundin, E. E. Tatarinov, M. I. Mitrofanov, M. N. Mizerov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, G. V. Voznyuk
Rok vydání:	2018
Předmět:	010302 applied physics Materials science business.industry 02 engineering and technology 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics Epitaxy 01 natural sciences Atomic and Molecular Physics and Optics Electronic Optical and Magnetic Materials Selective area epitaxy 0103 physical sciences Optoelectronics 0210 nano-technology business Lithography
Zdroj:	Semiconductors. 52:2114-2116
ISSN:	1090-6479 1063-7826
DOI:	10.1134/s1063782618160212
Popis:	Our study describes FIB technological aspects of preparing mask for GaN selective area epitaxy on Si3N4/GaN template.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4f9efd85894b0d8e85fd3c714a57d93a https://doi.org/10.1134/s1063782618160212 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.