Characterization of GaN HEMT under short-circuit events

Autor:	Javier Galindos Vicente, Diego Serrano, Miroslav Vasic
Rok vydání:	2022
Zdroj:	2022 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC).
DOI:	10.1109/apec43599.2022.9773602
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4e5c322baa7ffa1735055b5a38f98580 https://doi.org/10.1109/apec43599.2022.9773602 Zobrazit plný text záznamu