Влияние дефектов с глубокими уровнями на С - V -характеристики мощных AlGaN/GaN/SiC НЕМТ

Rok vydání:	2019
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering
Zdroj:	Микроэлектроника. 48:47-55
ISSN:	0544-1269
DOI:	10.1134/s0544126919010046
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a39cbf479f498b1cc60119609008365 https://doi.org/10.1134/s0544126919010046 Zobrazit plný text záznamu